財經中心／師瑞德報導
全球最大科技製造平台服務公司鴻海科技集團（TWSE:2317）9日宣布，旗下鴻海研究院與 SEMICON Taiwan 再度合作，在台北南港展覽館 2 館舉辦「功率暨光電半導體論壇／NExT Forum 2025」。此次論壇以「Power & Optoelectronics: Unlocking the Future of AI」為主題，聚焦功率與光電半導體在新世代 AI 伺服器與資料中心的應用，邀集國際龍頭廠商與市場研究機構齊聚一堂，共同剖析最新技術突破與市場趨勢。
論壇吸引德州儀器（Texas Instruments）、英飛凌（Infineon）、博通（Broadcom）等全球半導體巨頭參與，並由市調機構 Yole Development 發表產業洞察，聚焦生成式 AI、大型語言模型帶來的龐大運算需求，探討在能源轉換效率、熱管理以及高速資料傳輸上的新挑戰。論壇同時深入分析矽光子技術如何突破網路互聯瓶頸，推動 AI 資料中心的高速傳輸，全面驅動產業升級。
鴻海 S 事業群總經理陳偉銘指出，化合物半導體正快速成長，市場規模預估將自目前的 170 億美元，在 2030 年達到 300 億美元，展現強勁成長動能。他強調，碳化矽（SiC）已在電動車能源效率及快速充電應用發揮關鍵作用；氮化鎵（GaN）則在 5G 高頻通訊領域具備優勢，而這兩大材料同時也是 AI 伺服器與高效能運算的核心基礎。隨著製程與材料技術不斷突破，化合物半導體將持續推動資料中心、車用電子與智慧應用的革命性改變。
值得注意的是，鴻海研究院半導體研究所今年於論壇揭示與國立陽明交通大學（NYCU）、美國伊利諾大學香檳分校（UIUC）的跨國合作成果：在第四代半導體 β-氧化鎵（β-Ga₂O₃）的研發中，團隊導入 (AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃ 間隔層設計，利用能帶工程形成二維電子氣（2DEG），顯著提升元件導通能力與耐壓特性。此技術突破相關論文已刊登於國際權威期刊《Advanced Electronic Materials》，未來可望應用於高功率電子裝置與 AI 電源架構，帶來全新解決方案。
鴻海研究院半導體研究所所長郭浩中表示，隨著 AI 伺服器對能源效率的需求不斷提升，功率半導體的技術突破成為產業核心。他強調，透過與 NYCU 與 UIUC 的合作，能進一步加速第四代半導體材料的應用落地，未來研究將聚焦在高效能與低能耗的並行發展，協助全球 AI 產業建立可持續的能源使用模式。
論壇期間，鴻海研究院也同步分享在碳化矽、氮化鎵與氧化鎵（Ga₂O₃）等化合物半導體的最新研發進展，並與國際大廠探討應用於 AI 伺服器、電動車、新世代通訊等領域的挑戰與機會。此次論壇不僅展示了鴻海在半導體自主研發的深厚能量，也凸顯其透過產學研合作、鏈結全球資源，加速推動 AI 與半導體技術融合的決心。
鴻海研究院表示，未來將持續深耕功率與光電半導體，透過技術創新與國際合作，協助產業邁向高效能、低能耗的下一世代，並推動台灣在全球半導體價值鏈中的地位持續提升。
